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现有热阻测试标准不完善 省内缺少半导体回路低寄生参数测试、多应力场共同作用下半导体可靠性试验、GaN器件可靠性评价标准
2025.04.16 16:49:00
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设计、电流密度增强等碳化硅MOSFET芯片关键技术，形成650V—1200V大电流碳化硅MOSFET器件系列产品，关键指标达到国际先进水平。
突破低寄生参数设计、高效散热、高可靠封装等关键功率模块关键技术，研制出750V/600AHPD、1200V/600A2in1等电驱用SiC功率模块，性能与国际先进模块相当。...
2023.09.07 10:03:00
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