又一喜讯！天合光能6英寸IBC电池效率再创新

尽管IBC电池正负极栅线均位于电池背面，无需考虑金属区的遮挡损失，也给发射结的设计带来更大的自由度，但随着电池转换效率的不断攀升，载流子注入浓度越来越高，电池内部各区域的复合损失都发生了显著变化。这就需要结合制备工艺，在复合损失和光学损失间寻找最佳平衡点。 　　天合...

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互学共进促提升 力行致远谋发展

功推出了FST3.0 IGBT系列产品。 长晶科技FST 3.0 IGBT单管 FST3.0 IGBT产品采用了微沟槽栅（1.6μm Pitch）和场终止技术，显著提高了载流子密度，降低了通态损耗和开关损耗，性能达到了国际第七代IGBT的水平。 FST3.0 IGBT的推出，不仅标志着长晶科技在IGBT技术上的重大突破，更...

https://economy.jschina.com.cn/rddt/202507/t20250724_3567768.shtml

努力突破IGBT技术，长晶科技实现国产化突围

功推出了FST3.0 IGBT系列产品。 长晶科技FST 3.0 IGBT单管 FST3.0 IGBT产品采用了微沟槽栅（1.6μm Pitch）和场终止技术，显著提高了载流子密度，降低了通态损耗和开关损耗，性能达到了国际第七代IGBT的水平。 FST3.0 IGBT的推出，不仅标志着长晶科技在IGBT技术上的重大突破，更...

https://economy.jschina.com.cn/rddt/202507/t20250724_3567769.shtml

2021未来科学大奖获奖名单公布，袁国勇、裴伟士、张杰、施敏获奖

闪存储器之核心发明。这里所奖励的科学工作是他1968-1969年在新竹交通大学(今阳明交通大学)期间完成的。 该奖项为表彰他对金属与半导体间载流子互传的理论认知做出的贡献，促成了过去50年中按“摩尔定律”速率建造的各代集成电路中如何形成欧姆和肖特基接触的关键技术。施敏教授对跨...

http://jsnews.jschina.com.cn/kjwt/202109/t20210912_2852414.shtml