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  1. 底或明年初实现在28纳米制程的完全国产替代。电子束缺陷检测设备（EBI）方面，东方晶源最新产品SEpA®-i635取得了非常大的进展，大电流预充电功能的开发解决了3D结构漏电和断路缺陷检测问题，抗干扰性能的优化大大提高了小尺寸物理缺陷的检出率, 在28纳米成熟制程及3D NAND实现国产...
    2025.09.10 10:42:00
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